Micron bellek yol haritasını açıkladı: 3D DRAM, High-NA EUV ve özel silikon

Neden önemli

Micron, bellek üretiminde önümüzdeki yılların planını açıkladı. Yapay zekâ sistemleri daha fazla bellek ve depolama talep ettikçe, bu yol haritası doğrudan AI donanımının hızını ve maliyetini etkiliyor.

DRAM tarafı

Şirket, rakipleri CXMT, Samsung ve SK hynix'in aksine 4F2 hücreli DRAM üretme planından vazgeçti. Gerekçe, bu yapının ötesinde uygulanabilir bir küçültme yolunun bulunmaması. Micron bunun yerine wafer bonding, High-NA EUV litografi, yeni malzemeler ve nihayetinde 3D DRAM'e odaklanıyor.

Yeni nesil 1δ (1-delta) sürecinin 2027'nin ikinci yarısında seri üretime girmesi bekleniyor. Şirket, bu sürecin bit yoğunluğunu 1γ'ya göre yaklaşık yüzde 20'nin ortasına kadar artıracağını öngörüyor. 1δ, ABD'de üretilecek ve DDR, LPDDR, grafik belleği, HBM5, dikey HBM (vHBM) ve dikey Edge Inference Memory (vEIM) ürünlerinde kullanılacak.

Sonraki 1ε süreci wafer bonding'e dayanacak; farklı yapılar ayrı wafer'larda üretilip birleştirilecek. ζÅ düğümü ise bellekte High-NA EUV litografiyi devreye alacak ve erken geliştirme aşamasında. Micron bu düğüm için üretim takvimi, yoğunluk artışı veya kaç katmanın High-NA gerektireceği konusunda ayrıntı paylaşmadı.

NAND ve özel silikon

NAND tarafında şirket, hücre mimarisini yoğunlaştıracak yeni malzemelere ve XYZ ölçeklendirmesine odaklanıyor. Yol haritasının dikkat çeken kısmı ise özel DRAM ve NAND ürünlerinin genişletilmesi: AI geliştiricileri, kendi işlemci mimarilerine ve iş yüklerine göre optimize edilmiş bellek çözümleri istiyor.